Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A08GTA
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated

ZXMN6A08G.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.32 грн
2000+18.72 грн
3000+17.79 грн
5000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXMN6A08GTA за ціною від 17.36 грн до 74.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Виробник : Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.10 грн
2000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Виробник : Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+25.62 грн
2000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014377413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.35 грн
500+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014377413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.85 грн
16+50.92 грн
100+33.35 грн
500+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A08G.pdf MOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET
на замовлення 7714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.45 грн
10+43.30 грн
100+25.10 грн
500+19.87 грн
1000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A08G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
на замовлення 6931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.52 грн
10+44.94 грн
100+29.39 грн
500+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Виробник : Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN6A08G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.