на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 20.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN6A08GTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMN6A08GTA за ціною від 13.62 грн до 74.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN6A08GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A08GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A08GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A08GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A08GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V |
на замовлення 11615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A08GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET |
на замовлення 4931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A08GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A08GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.8A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT223 On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 2W Drain current: 2.8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |