Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A08KTC
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated

ZXMN6A08K.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.06 грн
5000+15.41 грн
7500+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.12W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ZXMN6A08KTC за ціною від 15.82 грн до 52.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Виробник : Diodes Zetex 13_lnk_090721002413.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Виробник : DIODES INC. DIODS12175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.12 грн
500+23.37 грн
1000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A08K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
на замовлення 7601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.16 грн
10+37.32 грн
100+25.70 грн
500+21.10 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Виробник : DIODES INC. DIODS12175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.42 грн
19+43.49 грн
100+30.12 грн
500+23.37 грн
1000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A08K.pdf MOSFETs 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
на замовлення 4411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.18 грн
10+42.72 грн
100+25.60 грн
500+20.53 грн
1000+18.83 грн
2500+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Виробник : Diodes Zetex 13_lnk_090721002413.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Виробник : Diodes Inc 13_lnk_090721002413.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.