ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.60 грн |
| 5000+ | 15.60 грн |
| 7500+ | 14.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.12W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMN6A08KTC за ціною від 13.67 грн до 72.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN6A08KTC | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.12W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN6A08KTC | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.12W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN6A08KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM |
на замовлення 4078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN6A08KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V |
на замовлення 7516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXMN6A08KTC |
|
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
ZXMN6A08KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| ZXMN6A08KTC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.36A; 2.12W; TO252/DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 5.36A Power dissipation: 2.12W Case: TO252/DPAK On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.8nC |
товару немає в наявності |