Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A09DN8TA
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated

ZXMN6A09DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+62.92 грн
1000+55.87 грн
1500+53.46 грн
2500+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції ZXMN6A09DN8TA за ціною від 77.61 грн до 181.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
10+113.07 грн
100+77.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8.pdf MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8.pdf
ZXMN6A09DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.84 грн
10+113.07 грн
100+77.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8.pdf
ZXMN6A09DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.