ZXMN6A09GTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 41.73 грн |
| 2000+ | 35.70 грн |
| 3000+ | 35.22 грн |
| 5000+ | 31.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN6A09GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.9W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMN6A09GTA за ціною від 33.91 грн до 137.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN6A09GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A09GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A09GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A09GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A09GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A09GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch 60V 7.5A |
на замовлення 5325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A09GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V |
на замовлення 50721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A09GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMN6A09GTA | Виробник : Zetex |
N-MOSFET 60V 6.9A ZXMN6A09GTA DIODES TZXMN6a09g кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
ZXMN6A09GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |