ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC Diodes Inc


2920zxmn6a09kq.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A09KQTC Diodes Inc

Description: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 10.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції ZXMN6A09KQTC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN6A09KQTC ZXMN6A09KQTC Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A09K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KQTC ZXMN6A09KQTC Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A09K.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.