Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A11DN8TA
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated

ZXMN6A11DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.23 грн
10+59.45 грн
100+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN6A11DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMN6A11DN8TA за ціною від 18.61 грн до 105.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8.pdf MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+105.13 грн
10+64.70 грн
100+37.25 грн
500+28.32 грн
1000+26.35 грн
2500+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8TA DIODES INC. ZXMN6A11DN8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN6A11DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA Diodes Zetex ZXMN6A11DN8.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.10 грн
50+23.04 грн
100+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA Diodes Zetex ZXMN6A11DN8.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.39 грн
12+69.66 грн
25+68.75 грн
100+48.81 грн
250+43.47 грн
500+28.59 грн
1000+28.30 грн
3000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8.pdf
ZXMN6A11DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.13 грн
10+64.70 грн
100+37.25 грн
500+28.32 грн
1000+26.35 грн
2500+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8.pdf
ZXMN6A11DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+24.10 грн
50+23.04 грн
100+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.39 грн
12+69.66 грн
25+68.75 грн
100+48.81 грн
250+43.47 грн
500+28.59 грн
1000+28.30 грн
3000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.