Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A11DN8TA
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated

ZXMN6A11DN8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.41 грн
10+58.95 грн
100+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції ZXMN6A11DN8TA за ціною від 23.50 грн до 101.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8.pdf MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.64 грн
10+63.23 грн
100+36.31 грн
500+29.51 грн
1000+25.48 грн
2500+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8TA Виробник : Diodes Inc zxmn6a11dn8.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.