ZXMN6A11DN8TA DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 2.6A; 1.25W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 82.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN6A11DN8TA DIODES INCORPORATED
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції ZXMN6A11DN8TA за ціною від 22.95 грн до 104.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMN6A11DN8TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 2.6A; 1.25W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.6A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A11DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A11DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A11DN8TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXMN6A11DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |