
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.85 грн |
10+ | 65.74 грн |
100+ | 37.96 грн |
500+ | 28.99 грн |
1000+ | 25.01 грн |
2500+ | 22.59 грн |
5000+ | 21.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції ZXMN6A11DN8TA за ціною від 39.16 грн до 97.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXMN6A11DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
ZXMN6A11DN8TA | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
ZXMN6A11DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |