ZXMN6A11GTA Diodes Incorporated


ZXMN6A11G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 325000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+21.37 грн
2000+18.95 грн
3000+18.12 грн
5000+16.12 грн
7000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A11GTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції ZXMN6A11GTA за ціною від 17.09 грн до 82.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN6A11GTA ZXMN6A11GTA Diodes Incorporated ZXMN6A11G.pdf MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.77 грн
10+46.26 грн
100+27.71 грн
500+21.59 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTA ZXMN6A11GTA Diodes Incorporated ZXMN6A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 325393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.28 грн
10+49.29 грн
100+32.36 грн
500+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTA ZXMN6A11G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+67.77 грн
10+46.26 грн
100+27.71 грн
500+21.59 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTA ZXMN6A11G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 325393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+82.28 грн
10+49.29 грн
100+32.36 грн
500+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.