на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 18.33 грн |
| 2000+ | 18.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN6A11ZTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMN6A11ZTA за ціною від 16.81 грн до 72.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN6A11ZTA | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A11ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A11ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A11ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A11ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A11ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V |
на замовлення 67000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A11ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A11ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V |
на замовлення 68050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN6A11ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN6A11ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS |
на замовлення 22658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMN6A11ZTA | Виробник : ZETEX |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
ZXMN6A11ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |