ZXMN6A11ZTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 22.35 грн |
| 2000+ | 19.17 грн |
| 5000+ | 18.16 грн |
| 10000+ | 16.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN6A11ZTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXMN6A11ZTA за ціною від 17.37 грн до 91.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN6A11ZTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
на замовлення 68050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMN6A11ZTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS |
на замовлення 21728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMN6A11ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| ZXMN6A11ZTA | ZETEX |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN6A11ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 68050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.22 грн |
| 10+ | 43.73 грн |
| 100+ | 30.27 грн |
| 500+ | 23.73 грн |
| ZXMN6A11ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 21728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.87 грн |
| 10+ | 50.71 грн |
| 100+ | 29.04 грн |
| 500+ | 22.72 грн |
| 1000+ | 19.97 грн |
| 2000+ | 17.37 грн |
| ZXMN6A11ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 91.07 грн |
| 15+ | 57.19 грн |
| 50+ | 47.42 грн |
| 200+ | 34.97 грн |
| ZXMN6A11ZTA |
![]() |
Виробник: ZETEX
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.



