| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 111.53 грн |
| 10+ | 92.35 грн |
| 25+ | 91.07 грн |
| 100+ | 69.56 грн |
| 250+ | 63.76 грн |
| 500+ | 52.59 грн |
| 1000+ | 46.34 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN6A25DN8TA Diodes Zetex
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції ZXMN6A25DN8TA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN6A25DN8TA | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
ZXMN6A25DN8TA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
ZXMN6A25DN8TA | Diodes Incorporated |
MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN6A25DN8TA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN6A25DN8TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ZXMN6A25DN8TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ZXMN6A25DN8TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ZXMN6A25DN8TA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.