ZXMN6A25GTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 35.51 грн |
| 2000+ | 31.45 грн |
| 3000+ | 30.05 грн |
| 5000+ | 26.73 грн |
| 7000+ | 25.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN6A25GTA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V.
Інші пропозиції ZXMN6A25GTA за ціною від 32.14 грн до 128.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMN6A25GTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V |
на замовлення 9843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ZXMN6A25GTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chan 60V MOSFET (UMOS) |
на замовлення 3506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| ZXMN6A25GTA |
|
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN6A25GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
на замовлення 9843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.09 грн |
| 10+ | 71.31 грн |
| 100+ | 47.61 грн |
| 500+ | 35.16 грн |
| ZXMN6A25GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
MOSFETs N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.81 грн |
| 10+ | 79.26 грн |
| 100+ | 45.57 грн |
| 500+ | 36.15 грн |
| 1000+ | 32.14 грн |


