Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A25GTA
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA Diodes Incorporated

ZXMN6A25G.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.19 грн
2000+30.62 грн
3000+30.39 грн
5000+28.16 грн
7000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A25GTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V.

Інші пропозиції ZXMN6A25GTA за ціною від 28.98 грн до 123.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN6A25GTA ZXMN6A25GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A25G.pdf MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
на замовлення 12963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.13 грн
10+69.25 грн
100+46.86 грн
500+39.69 грн
1000+31.77 грн
2000+30.11 грн
5000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GTA ZXMN6A25GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A25G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
на замовлення 54847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.26 грн
10+75.07 грн
100+50.16 грн
500+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GTA ZXMN6A25G.pdf
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.