
ZXMN7A11G DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 3.8 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 3.8 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 53.22 грн |
200+ | 44.00 грн |
500+ | 35.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN7A11G DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 3.8 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 70V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.9W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMN7A11G за ціною від 35.62 грн до 120.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXMN7A11G | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 3.8 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
ZXMN7A11G | Виробник : ZETEX | 07+ SOT223 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
ZXMN7A11G | Виробник : ZETEX | SOT223 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |