ZXMN7A11GQTA Diodes Inc


zxmn7a11gq.pdf Виробник: Diodes Inc
MOSFET BVDSS, 61V to 100V SOT223 1K
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN7A11GQTA Diodes Inc

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 50 V.

Інші пропозиції ZXMN7A11GQTA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMN7A11GQTA ZXMN7A11GQTA Виробник : Diodes Zetex zxmn7a11gq.pdf MOSFET BVDSS, 61V to 100V SOT223 1K
товар відсутній
ZXMN7A11GQTA ZXMN7A11GQTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN7A11GQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 50 V
товар відсутній
ZXMN7A11GQTA Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0007740241_1-2542954.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&R 1K
товар відсутній