Технічний опис ZXMN7A11GQTA Diodes Inc./Zetex
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 50 V.
Інші пропозиції ZXMN7A11GQTA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN7A11GQTA | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN7A11GQTA | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&R 1K |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
ZXMN7A11GQTA | Diodes Zetex |
MOSFET BVDSS, 61V to 100V SOT223 1K |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN7A11GQTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 50 V
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ZXMN7A11GQTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&R 1K
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&R 1K
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ZXMN7A11GQTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
MOSFET BVDSS, 61V to 100V SOT223 1K
MOSFET BVDSS, 61V to 100V SOT223 1K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.