Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN7A11GTA
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated

ZXMN7A11G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+26.22 грн
2000+22.21 грн
3000+21.30 грн
5000+19.59 грн
7000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V, Vgs (Max): ±20V, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції ZXMN7A11GTA за ціною від 26.54 грн до 87.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN7A11GTA ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated ZXMN7A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
на замовлення 7186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.56 грн
10+54.25 грн
100+33.74 грн
500+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTA ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated DIOD_S_A0000449600_1-2541827.pdf MOSFET 70V N-Channel 3.8A MOSFET
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTA ZXMN7A11G.pdf
ZXMN7A11GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
на замовлення 7186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.56 грн
10+54.25 грн
100+33.74 грн
500+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTA DIOD_S_A0000449600_1-2541827.pdf
ZXMN7A11GTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 70V N-Channel 3.8A MOSFET
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.