Інші пропозиції ZXMN7A11KTC за ціною від 26.69 грн до 105.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN7A11KTC | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN7A11KTC | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN7A11KTC | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN7A11KTC | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN7A11KTC | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN7A11KTC | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN7A11KTC | Diodes Incorporated |
MOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET |
на замовлення 4959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
ZXMN7A11KTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.11W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
ZXMN7A11KTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.11W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN7A11KTC |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.00 грн |
| ZXMN7A11KTC |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.00 грн |
| ZXMN7A11KTC |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.49 грн |
| ZXMN7A11KTC |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 288+ | 49.32 грн |
| 290+ | 48.88 грн |
| 332+ | 42.75 грн |
| 335+ | 40.81 грн |
| 500+ | 33.14 грн |
| 1000+ | 28.46 грн |
| 3000+ | 26.69 грн |
| ZXMN7A11KTC |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 52.10 грн |
| 16+ | 49.32 грн |
| 25+ | 48.88 грн |
| 100+ | 41.22 грн |
| 250+ | 37.79 грн |
| 500+ | 31.82 грн |
| 1000+ | 28.46 грн |
| 3000+ | 26.69 грн |
| ZXMN7A11KTC |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 105.62 грн |
| 10+ | 64.32 грн |
| 25+ | 54.15 грн |
| 50+ | 44.90 грн |
| 100+ | 39.92 грн |
| ZXMN7A11KTC |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET
MOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXMN7A11KTC |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXMN7A11KTC |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)