Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11K.pdf
Код товару: 185461
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції ZXMN7A11KTC за ціною від 20.57 грн до 97.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11KTC Diodes Incorporated ZXMN7A11K.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.79 грн
5000+22.98 грн
7500+22.04 грн
12500+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11KTC Diodes Incorporated ZXMN7A11K.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.64 грн
10+59.25 грн
100+39.20 грн
500+28.71 грн
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11KTC DIODES INC. ZXMN7A11K.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11KTC Diodes Incorporated ZXMN7A11K.pdf MOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11KTC DIODES INC. ZXMN7A11K.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC ZETEX ZXMN7A11K.pdf 09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11K.pdf
ZXMN7A11KTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.79 грн
5000+22.98 грн
7500+22.04 грн
12500+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11K.pdf
ZXMN7A11KTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.64 грн
10+59.25 грн
100+39.20 грн
500+28.71 грн
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11K.pdf
ZXMN7A11KTC
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11K.pdf
ZXMN7A11KTC
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11K.pdf
ZXMN7A11KTC
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11K.pdf
Виробник: ZETEX
09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.