ZXMP10A13FQTA Diodes Inc
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP10A13FQTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 806mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ZXMP10A13FQTA за ціною від 16.03 грн до 59.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP10A13FQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP10A13FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A13FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP10A13FQTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 806mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 8328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A13FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A13FQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A13FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP10A13FQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 100V P-Ch Enh FET 20Vgs -0.5A ID 625mW |
на замовлення 11462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A13FQTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 806mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 8328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMP10A13FQTA Код товару: 194601 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
ZXMP10A13FQTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.7A Pulsed drain current: -3.1A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A13FQTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.7A Pulsed drain current: -3.1A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |