
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 10.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP10A13FTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMP10A13FTA за ціною від 7.51 грн до 63.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMP10A13FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V |
на замовлення 613400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 19241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.5A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.5A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMP10A13FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V |
на замовлення 613906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 73290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
ZXMP10A13FTA | Виробник : DIODES/ZETEX |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
ZXMP10A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |