ZXMP10A13FTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.86 грн |
| 6000+ | 12.27 грн |
| 9000+ | 11.72 грн |
| 15000+ | 10.41 грн |
| 21000+ | 10.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP10A13FTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXMP10A13FTA за ціною від 14.99 грн до 70.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMP10A13FTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 829187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ZXMP10A13FTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch 100 Volt 0.7A |
на замовлення 22784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ZXMP10A13FTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| ZXMP10A13FTA | DIODES/ZETEX |
P-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω ZXMP10A13FTA Diodes TZXMP10A13Fкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 960 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| ZXMP10A13FTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 829187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.34 грн |
| 10+ | 35.66 грн |
| 100+ | 23.11 грн |
| 500+ | 16.62 грн |
| 1000+ | 14.99 грн |
| ZXMP10A13FTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch 100 Volt 0.7A
MOSFETs P-Ch 100 Volt 0.7A
на замовлення 22784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.64 грн |
| 10+ | 40.36 грн |
| 100+ | 22.72 грн |
| 500+ | 17.51 грн |
| ZXMP10A13FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 70.89 грн |
| 50+ | 44.22 грн |
| 100+ | 28.63 грн |
| 500+ | 20.42 грн |
| 1500+ | 16.95 грн |
| ZXMP10A13FTA |
![]() |
Виробник: DIODES/ZETEX
P-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω ZXMP10A13FTA Diodes TZXMP10A13F
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω ZXMP10A13FTA Diodes TZXMP10A13F
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.83 грн |



