на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP10A17E6TA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMP10A17E6TA за ціною від 17.94 грн до 81.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V |
на замовлення 12615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP10A17E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V |
на замовлення 13237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A17E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V P-Chanl UMOS |
на замовлення 88187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
ZXMP10A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
товару немає в наявності |