на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 51.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP10A18GTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMP10A18GTA за ціною від 53.06 грн до 201.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP10A18GTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 137000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 193000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP10A18GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP10A18GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
на замовлення 99426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP10A18GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V P-Chnl UMOS |
на замовлення 11766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |