Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMP10A18GTA
ZXMP10A18GTA

ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated

ZXMP10A18G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+60.15 грн
2000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXMP10A18GTA за ціною від 58.98 грн до 183.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Diodes Zetex zxmp10a18g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.47 грн
2000+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Diodes Zetex zxmp10a18g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.88 грн
2000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Diodes Zetex zxmp10a18g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Diodes Zetex zxmp10a18g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 193000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Diodes Zetex zxmp10a18g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+108.49 грн
500+86.40 грн
1000+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated ZXMP10A18G.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.97 грн
10+114.00 грн
100+78.17 грн
500+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated ZXMP10A18G.pdf MOSFETs 100V P-Chnl UMOS
на замовлення 11766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA DIODES INC. ZXMP10A18G.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA DIODES INC. ZXMP10A18G.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA zxmp10a18g.pdf
ZXMP10A18GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+63.47 грн
2000+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA zxmp10a18g.pdf
ZXMP10A18GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+63.88 грн
2000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA zxmp10a18g.pdf
ZXMP10A18GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA zxmp10a18g.pdf
ZXMP10A18GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 193000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA zxmp10a18g.pdf
ZXMP10A18GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+108.49 грн
500+86.40 грн
1000+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18G.pdf
ZXMP10A18GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.97 грн
10+114.00 грн
100+78.17 грн
500+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18G.pdf
ZXMP10A18GTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V P-Chnl UMOS
на замовлення 11766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18G.pdf
ZXMP10A18GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18G.pdf
ZXMP10A18GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.