Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMP10A18GTA
ZXMP10A18GTA

ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated

ZXMP10A18G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+61.82 грн
2000+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V.

Інші пропозиції ZXMP10A18GTA за ціною від 50.21 грн до 189.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA DIODES INCORPORATED ZXMP10A18G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.39 грн
10+105.81 грн
25+91.42 грн
100+73.65 грн
500+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated ZXMP10A18G.pdf MOSFETs 100V P-Chnl UMOS
на замовлення 11766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.96 грн
10+122.93 грн
100+73.14 грн
500+59.07 грн
1000+52.74 грн
2000+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated ZXMP10A18G.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.09 грн
10+117.17 грн
100+80.35 грн
500+60.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18G.pdf
ZXMP10A18GTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+171.39 грн
10+105.81 грн
25+91.42 грн
100+73.65 грн
500+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18G.pdf
ZXMP10A18GTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V P-Chnl UMOS
на замовлення 11766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+182.96 грн
10+122.93 грн
100+73.14 грн
500+59.07 грн
1000+52.74 грн
2000+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18G.pdf
ZXMP10A18GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+189.09 грн
10+117.17 грн
100+80.35 грн
500+60.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.