ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 60.41 грн |
| 2000+ | 54.01 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.
Інші пропозиції ZXMP10A18GTA за ціною від 52.33 грн до 190.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP10A18GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 137000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 193000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZXMP10A18GTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V P-Chnl UMOS |
на замовлення 11766 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZXMP10A18GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
ZXMP10A18GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXMP10A18GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 64.47 грн |
| 2000+ | 61.97 грн |
| ZXMP10A18GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 64.88 грн |
| 2000+ | 62.36 грн |
| ZXMP10A18GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 72.50 грн |
| ZXMP10A18GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 193000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 72.50 грн |
| ZXMP10A18GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 110.19 грн |
| 500+ | 87.76 грн |
| 1000+ | 78.51 грн |
| ZXMP10A18GTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 184.75 грн |
| 10+ | 114.49 грн |
| 100+ | 78.50 грн |
| 500+ | 59.23 грн |
| ZXMP10A18GTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V P-Chnl UMOS
MOSFETs 100V P-Chnl UMOS
на замовлення 11766 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 190.69 грн |
| 10+ | 128.12 грн |
| 100+ | 76.23 грн |
| 500+ | 61.57 грн |
| 1000+ | 54.97 грн |
| 2000+ | 52.33 грн |
| ZXMP10A18GTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXMP10A18GTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)