на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 30.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP10A18KTC Diodes Inc
Description: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V.
Інші пропозиції ZXMP10A18KTC за ціною від 33.94 грн до 96.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
на замовлення 27758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A |
на замовлення 36014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMP10A18KTC Код товару: 164134 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
ZXMP10A18KTC | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
ZXMP10A18KTC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.8A; Idm: -21.1A; 4.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -21.1A Power dissipation: 4.3W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
ZXMP10A18KTC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.8A; Idm: -21.1A; 4.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -21.1A Power dissipation: 4.3W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |