ZXMP3A13FTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP3A13FTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP3A13FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXMP3A13FTA за ціною від 8.89 грн до 86.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMP3A13FTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP3A13FTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP3A13FTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP3A13FTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP3A13FTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.3A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2271 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V P-Chnl UMOS |
на замовлення 19324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP3A13FTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP3A13FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| ZXMP3A13FTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.34 грн |
| ZXMP3A13FTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.56 грн |
| ZXMP3A13FTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.59 грн |
| ZXMP3A13FTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 19.53 грн |
| ZXMP3A13FTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.14 грн |
| 12+ | 27.05 грн |
| 100+ | 18.38 грн |
| 500+ | 13.60 грн |
| 1000+ | 11.31 грн |
| ZXMP3A13FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 43.76 грн |
| 15+ | 29.54 грн |
| 50+ | 20.15 грн |
| 100+ | 16.85 грн |
| 500+ | 11.26 грн |
| 1000+ | 9.73 грн |
| 1500+ | 8.89 грн |
| ZXMP3A13FTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V P-Chnl UMOS
MOSFETs 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 19324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.71 грн |
| 10+ | 34.05 грн |
| 100+ | 19.13 грн |
| 500+ | 14.49 грн |
| 1000+ | 13.08 грн |
| ZXMP3A13FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3A13FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMP3A13FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 86.15 грн |
| 50+ | 61.78 грн |
| 100+ | 38.40 грн |
| 500+ | 24.53 грн |
| 1500+ | 19.06 грн |





