Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMP3A16DN8TA
ZXMP3A16DN8TA

ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated

ZXMP3A16DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+50.13 грн
1000+44.27 грн
1500+42.23 грн
2500+37.48 грн
3500+36.21 грн
5000+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ZXMP3A16DN8TA за ціною від 37.78 грн до 146.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Diodes Zetex zxmp3a16dn8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated ZXMP3A16DN8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.25 грн
10+89.84 грн
100+60.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated ZXMP3A16DN8.pdf MOSFETs Dl 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA DIODES INC. DIODS12118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA DIODES INC. DIODS12118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA DIODES/ZETEX ZXMP3A16DN8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA Zetex ZXMP3A16DN8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA zxmp3a16dn8.pdf
ZXMP3A16DN8TA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8.pdf
ZXMP3A16DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.25 грн
10+89.84 грн
100+60.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8.pdf
ZXMP3A16DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA DIODS12118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP3A16DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA DIODS12118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP3A16DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8.pdf
Виробник: Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+59.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.