ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 51.16 грн |
| 1000+ | 45.18 грн |
| 1500+ | 43.10 грн |
| 2500+ | 38.25 грн |
| 3500+ | 36.95 грн |
| 5000+ | 36.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1.8W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції ZXMP3A16DN8TA за ціною від 37.29 грн до 149.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMP3A16DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Dl 30V P-Chnl UMOS |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP3A16DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SOSupplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMP3A16DN8TA | Виробник : DIODES/ZETEX |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMP3A16DN8TA | Виробник : Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
