ZXMP3A16N8TA DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 36.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP3A16N8TA DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXMP3A16N8TA за ціною від 30.03 грн до 131.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMP3A16N8TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP3A16N8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP3A16N8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V P-Chnl UMOS |
на замовлення 573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMP3A16N8TA |
|
на замовлення 10075 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |