ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.86 грн |
| 6000+ | 21.28 грн |
| 9000+ | 20.42 грн |
| 15000+ | 18.26 грн |
| 21000+ | 17.72 грн |
| 30000+ | 17.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP3A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXMP3A17E6TA за ціною від 18.74 грн до 104.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP3A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ZXMP3A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ZXMP3A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ZXMP3A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ZXMP3A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ZXMP3A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
ZXMP3A17E6TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.2A; Idm: -14.4A; 1.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -14.4A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ZXMP3A17E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V |
на замовлення 50513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
ZXMP3A17E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V P-Chnl UMOS |
на замовлення 14789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
ZXMP3A17E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP3A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|