Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP4A16GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.9W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMP4A16GTA за ціною від 23.58 грн до 93.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMP4A16GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
ZXMP4A16GTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
ZXMP4A16GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
ZXMP4A16GTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
ZXMP4A16GTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
ZXMP4A16GTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V P-Chnl UMOS |
на замовлення 33957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
ZXMP4A16GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
ZXMP4A16GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ZXMP4A16GTA | DIODES/ZETEX |
P-MOSFET 40V 6.4A ZXMP4A16GTA DIODES TZXMP4a16gкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| ZXMP4A16GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 23.58 грн |
| ZXMP4A16GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.59 грн |
| 2000+ | 24.33 грн |
| ZXMP4A16GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 37.93 грн |
| ZXMP4A16GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 315+ | 44.89 грн |
| ZXMP4A16GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.56 грн |
| 10+ | 56.73 грн |
| 100+ | 37.47 грн |
| 500+ | 27.42 грн |
| ZXMP4A16GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 40V P-Chnl UMOS
MOSFETs 40V P-Chnl UMOS
на замовлення 33957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXMP4A16GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXMP4A16GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXMP4A16GTA |
![]() |
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 26.50 грн |





