на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP4A57E6TA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZXMP4A57E6TA за ціною від 12.66 грн до 70.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP4A57E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP4A57E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP4A57E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP4A57E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP4A57E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP4A57E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40 SOT26,3K |
на замовлення 11961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP4A57E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V |
на замовлення 67653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP4A57E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| ZXMP4A57E6TA | Виробник : DIODES/ZETEX |
P-MOSFET 40V 2.9A 1.1W ZXMP4A57E6TA TZXMP4a57e6 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
ZXMP4A57E6TA Код товару: 113909
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMP4A57E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R |
товару немає в наявності |