Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMP6A13FQTA
ZXMP6A13FQTA

ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated

ZXMP6A13FQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.68 грн
6000+9.41 грн
9000+8.96 грн
15000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMP6A13FQTA за ціною від 9.49 грн до 22.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMP6A13FQTA ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated ZXMP6A13FQ.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 976753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.15 грн
18+17.29 грн
100+15.29 грн
500+12.55 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTA ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated ZXMP6A13FQ.pdf MOSFETs 60V P-Ch Enh Fet 20Vgs 625pD 219pF
на замовлення 62705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.56 грн
19+17.95 грн
100+13.78 грн
250+13.71 грн
500+12.10 грн
1000+11.18 грн
3000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTA ZXMP6A13FQTA DIODES INC. ZXMP6A13FQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTA ZXMP6A13FQ.pdf
ZXMP6A13FQTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 976753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.15 грн
18+17.29 грн
100+15.29 грн
500+12.55 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTA ZXMP6A13FQ.pdf
ZXMP6A13FQTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V P-Ch Enh Fet 20Vgs 625pD 219pF
на замовлення 62705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.56 грн
19+17.95 грн
100+13.78 грн
250+13.71 грн
500+12.10 грн
1000+11.18 грн
3000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTA ZXMP6A13FQ.pdf
ZXMP6A13FQTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.