ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.69 грн |
| 6000+ | 10.30 грн |
| 9000+ | 9.81 грн |
| 15000+ | 9.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMP6A13FQTA за ціною від 10.81 грн до 28.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP6A13FQTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 976753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V P-Ch Enh Fet 20Vgs 625pD 219pF |
на замовлення 62705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FQTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXMP6A13FQTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
ZXMP6A13FQTA SMD P channel transistors |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |