ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.52 грн |
| 6000+ | 11.07 грн |
| 9000+ | 10.56 грн |
| 15000+ | 9.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMP6A13FTA за ціною від 10.81 грн до 54.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP6A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP6A13FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP6A13FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V P-Chnl UMOS |
на замовлення 36583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V |
на замовлення 16095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMP6A13FTA | Виробник : Diodes Inc./Zetex |
P-Channel 60V 900mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
на замовлення 77 шт: термін постачання 5 дні (днів) |