Продукція > DIODES ZETEX > ZXMP6A13GTA
ZXMP6A13GTA

ZXMP6A13GTA Diodes Zetex

zxmp6a13g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+15.14 грн
53+14.26 грн
100+13.01 грн
250+12.35 грн
500+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 52 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP6A13GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm.

Інші пропозиції ZXMP6A13GTA за ціною від 16.33 грн до 84.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated ZXMP6A13G.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.86 грн
3000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Diodes Zetex zxmp6a13g.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.51 грн
2000+28.96 грн
3000+28.67 грн
5000+26.53 грн
10000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Diodes Zetex zxmp6a13g.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.56 грн
2000+29.01 грн
3000+28.72 грн
5000+26.57 грн
10000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated ZXMP6A13G.pdf MOSFETs 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 8796 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+50.56 грн
10+39.19 грн
100+16.85 грн
500+16.40 грн
1000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA DIODES INCORPORATED ZXMP6A13G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.595Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.12 грн
10+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated ZXMP6A13G.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA DIODES INC. DIOD-S-A0000449399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA DIODES INC. DIOD-S-A0000449399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA DIODES/ZETEX ZXMP6A13G.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 595mOhm; 2,3A; 3,9W; -55°C ~ 150°C; ZXMP6A12GTA TZXMP6a13g
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13G.pdf
ZXMP6A13GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+26.86 грн
3000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA zxmp6a13g.pdf
ZXMP6A13GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.51 грн
2000+28.96 грн
3000+28.67 грн
5000+26.53 грн
10000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA zxmp6a13g.pdf
ZXMP6A13GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.56 грн
2000+29.01 грн
3000+28.72 грн
5000+26.57 грн
10000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13G.pdf
ZXMP6A13GTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 8796 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.56 грн
10+39.19 грн
100+16.85 грн
500+16.40 грн
1000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13G.pdf
ZXMP6A13GTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.595Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.12 грн
10+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13G.pdf
ZXMP6A13GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA DIOD-S-A0000449399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP6A13GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA DIOD-S-A0000449399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP6A13GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13G.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 595mOhm; 2,3A; 3,9W; -55°C ~ 150°C; ZXMP6A12GTA TZXMP6a13g
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.