Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMP6A13GTA
ZXMP6A13GTA

ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated

ZXMP6A13G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.95 грн
2000+17.01 грн
3000+16.59 грн
5000+15.01 грн
7000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMP6A13GTA за ціною від 15.26 грн до 91.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA DIODES INC. ZXMP6A13G.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.95 грн
200+34.21 грн
500+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated ZXMP6A13G.pdf MOSFETs 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 8796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.26 грн
10+36.64 грн
100+15.75 грн
500+15.33 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated ZXMP6A13G.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
на замовлення 15125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.47 грн
10+36.65 грн
100+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA DIODES INC. ZXMP6A13G.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.07 грн
15+55.05 грн
50+45.95 грн
200+34.21 грн
500+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13G.pdf
ZXMP6A13GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.95 грн
200+34.21 грн
500+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13G.pdf
ZXMP6A13GTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 8796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.26 грн
10+36.64 грн
100+15.75 грн
500+15.33 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13G.pdf
ZXMP6A13GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
на замовлення 15125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.47 грн
10+36.65 грн
100+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13G.pdf
ZXMP6A13GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.07 грн
15+55.05 грн
50+45.95 грн
200+34.21 грн
500+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.