ZXMP6A16DN8QTA Diodes Zetex
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 44.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A16DN8QTA Diodes Zetex
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.81W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції ZXMP6A16DN8QTA за ціною від 39.93 грн до 154.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMP6A16DN8QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.81W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMP6A16DN8QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.81W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMP6A16DN8QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Dual P-Ch 60V Enh 2.15W -1Vgs 1021pF |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMP6A16DN8QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
ZXMP6A16DN8QTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |


