ZXMP6A16DN8TA

ZXMP6A16DN8TA Diodes Incorporated


ZXMP6A16DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.20 грн
10+76.69 грн
100+44.48 грн
500+34.08 грн
1000+29.61 грн
2500+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP6A16DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 2.15W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції ZXMP6A16DN8TA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMP6A16DN8TA ZXMP6A16DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP6A16DN8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TA ZXMP6A16DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP6A16DN8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.