Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMP6A16KTC
ZXMP6A16KTC

ZXMP6A16KTC Diodes Incorporated

ZXMP6A16K.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP6A16KTC Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 9.76W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMP6A16KTC за ціною від 23.14 грн до 117.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMP6A16KTC ZXMP6A16KTC DIODES INC. ZXMP6A16K.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.64 грн
500+39.08 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTC ZXMP6A16KTC Diodes Incorporated ZXMP6A16K.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.40 грн
10+57.52 грн
100+39.53 грн
500+29.04 грн
1000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTC ZXMP6A16KTC Diodes Incorporated ZXMP6A16K.pdf MOSFETs P-Chan 60V MOSFET (UMOS)
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.07 грн
10+59.69 грн
100+36.64 грн
500+28.48 грн
1000+26.16 грн
2500+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTC ZXMP6A16KTC DIODES INC. ZXMP6A16K.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.33 грн
12+72.45 грн
100+54.64 грн
500+39.08 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTC ZXMP6A16K.pdf
ZXMP6A16KTC
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.64 грн
500+39.08 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTC ZXMP6A16K.pdf
ZXMP6A16KTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.40 грн
10+57.52 грн
100+39.53 грн
500+29.04 грн
1000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTC ZXMP6A16K.pdf
ZXMP6A16KTC
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Chan 60V MOSFET (UMOS)
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.07 грн
10+59.69 грн
100+36.64 грн
500+28.48 грн
1000+26.16 грн
2500+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTC ZXMP6A16K.pdf
ZXMP6A16KTC
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.33 грн
12+72.45 грн
100+54.64 грн
500+39.08 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.