ZXMP6A16KTC Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A16KTC Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 9.76W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMP6A16KTC за ціною від 24.15 грн до 107.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP6A16KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP6A16KTC | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A16KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A16KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A16KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP6A16KTC | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 10552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A16KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V |
на замовлення 13688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP6A16KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chan 60V MOSFET (UMOS) |
на замовлення 3265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A16KTC | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 13568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
ZXMP6A16KTC SMD P channel transistors |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
ZXMP6A16KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXMP6A16KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |