ZXMP6A17DN8TA

ZXMP6A17DN8TA Diodes Incorporated


ZXMP6A17DN8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+44.97 грн
1000+ 34.19 грн
2500+ 31.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP6A17DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.81W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції ZXMP6A17DN8TA за ціною від 29.17 грн до 78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMP6A17DN8TA ZXMP6A17DN8TA Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003133143_1-2542249.pdf MOSFET Dl 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.01 грн
10+ 66.1 грн
100+ 44.86 грн
500+ 36.99 грн
1000+ 29.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
ZXMP6A17DN8TA ZXMP6A17DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP6A17DN8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78 грн
10+ 67.25 грн
100+ 52.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
ZXMP6A17DN8TA ZXMP6A17DN8.pdf
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ZXMP6A17DN8TA ZXMP6A17DN8TA Виробник : Diodes Inc 270862723625481zxmp6a17dn8.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній