
ZXMP6A17E6QTA Diodes Zetex
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 17.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A17E6QTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZXMP6A17E6QTA за ціною від 16.86 грн до 89.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXMP6A17E6QTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A17E6QTA | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A17E6QTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 3714000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A17E6QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3717000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A17E6QTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A17E6QTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A17E6QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3719411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A17E6QTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A17E6QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 8158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
ZXMP6A17E6QTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.6A; 1.92W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3A Power dissipation: 1.92W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -13.6A Gate charge: 17.7nC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A17E6QTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
ZXMP6A17E6QTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |