Продукція > DIODES INC > ZXMP6A17E6QTA
ZXMP6A17E6QTA

ZXMP6A17E6QTA Diodes Inc

2536zxmp6a17e6q.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP6A17E6QTA Diodes Inc

Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції ZXMP6A17E6QTA за ціною від 16.56 грн до 62.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMP6A17E6QTA ZXMP6A17E6QTA Виробник : DIODES INC. 2814480.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+36.02 грн
500+ 26.43 грн
1000+ 19.58 грн
5000+ 19.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
ZXMP6A17E6QTA ZXMP6A17E6QTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP6A17E6Q.pdf MOSFET 60V P-Ch Enh Mode 1.1W 3A 637pF 17.7nC
на замовлення 17044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.47 грн
10+ 43.92 грн
100+ 29.24 грн
500+ 23.17 грн
1000+ 18.49 грн
3000+ 17.16 грн
6000+ 16.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
ZXMP6A17E6QTA ZXMP6A17E6QTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP6A17E6Q.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.72 грн
10+ 44.58 грн
100+ 34.19 грн
500+ 25.36 грн
1000+ 20.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
ZXMP6A17E6QTA ZXMP6A17E6QTA Виробник : DIODES INC. 2814480.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+62.01 грн
15+ 51.53 грн
100+ 36.02 грн
500+ 26.43 грн
1000+ 19.58 грн
5000+ 19.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
ZXMP6A17E6QTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMP6A17E6Q.pdf ZXMP6A17E6QTA SMD N channel transistors
товар відсутній
ZXMP6A17E6QTA ZXMP6A17E6QTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP6A17E6Q.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
товар відсутній