на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A17E6TA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMP6A17E6TA за ціною від 11.61 грн до 45.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.125 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 20742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1634 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch 60 Volt 3.0A |
на замовлення 184809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.125 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 20742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA Код товару: 22302
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Zetex |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: SOT-23-6 Uds,V: 60 V Id,A: 3 A Rds(on),Om: 0,125 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 670/15,1 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |






