на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 14.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A17GTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMP6A17GTA за ціною від 13.52 грн до 67.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMP6A17GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V |
на замовлення 187000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMP6A17GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMP6A17GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMP6A17GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.7A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -13.7A |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMP6A17GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.7A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -13.7A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 302 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMP6A17GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V |
на замовлення 187171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMP6A17GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V P-Chnl UMOS |
на замовлення 25697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXMP6A17GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA******* |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |




