Продукція > DIODES INC > ZXMP6A17GTA
ZXMP6A17GTA

ZXMP6A17GTA Diodes Inc

zxmp6a17g.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP6A17GTA Diodes Inc

Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXMP6A17GTA за ціною від 13.24 грн до 71.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP6A17G.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.44 грн
2000+17.04 грн
3000+16.19 грн
5000+14.29 грн
7000+13.76 грн
10000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Виробник : Diodes Zetex zxmp6a17g.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+22.86 грн
2000+20.74 грн
3000+19.77 грн
5000+18.25 грн
7000+16.43 грн
10000+14.98 грн
25000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Виробник : DIODES INC. ZXMP6A17G.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.26 грн
200+31.41 грн
500+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMP6A17G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -13.7A
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.78 грн
12+33.41 грн
50+25.50 грн
100+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMP6A17G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -13.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.94 грн
10+41.63 грн
50+30.60 грн
100+27.34 грн
500+21.39 грн
1000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP6A17G.pdf MOSFETs 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 25697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.11 грн
10+43.86 грн
100+26.01 грн
500+20.49 грн
1000+17.57 грн
2000+15.35 грн
5000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Виробник : DIODES INC. ZXMP6A17G.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.86 грн
17+50.70 грн
50+42.26 грн
200+31.41 грн
500+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP6A17G.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
на замовлення 13299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.38 грн
10+42.52 грн
100+27.71 грн
500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA*******
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.