ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.80 грн |
| 5000+ | 19.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.17W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZXMP6A17KTC за ціною від 21.85 грн до 85.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMP6A17KTC | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ZXMP6A17KTC | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V |
на замовлення 12624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated |
MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 60V P-CHANNEL |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZXMP6A17KTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.17W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZXMP6A17KTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.17W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXMP6A17KTC |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXMP6A17KTC |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 263+ | 28.18 грн |
| 500+ | 25.88 грн |
| 1000+ | 23.41 грн |
| 3000+ | 21.89 грн |
| ZXMP6A17KTC |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 499+ | 28.18 грн |
| ZXMP6A17KTC |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
Description: MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
на замовлення 12624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.44 грн |
| 10+ | 51.89 грн |
| 100+ | 32.16 грн |
| 500+ | 24.29 грн |
| 1000+ | 21.85 грн |
| ZXMP6A17KTC |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 60V P-CHANNEL
MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 60V P-CHANNEL
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXMP6A17KTC |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.17W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.17W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXMP6A17KTC |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.17W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.17W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





