ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated


ZXMP6A18DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+51.67 грн
1000+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMP6A18DN8TA за ціною від 60.40 грн до 144.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA Diodes Zetex 605zxmp6a18dn8.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+63.67 грн
1000+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA Diodes Zetex 605zxmp6a18dn8.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+63.67 грн
1000+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA Diodes Zetex 605zxmp6a18dn8.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+65.08 грн
1000+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA Diodes Zetex 605zxmp6a18dn8.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+65.10 грн
1000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA Diodes Zetex 605zxmp6a18dn8.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+127.15 грн
100+87.89 грн
250+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA Diodes Zetex 605zxmp6a18dn8.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.15 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated ZXMP6A18DN8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.58 грн
10+88.97 грн
100+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA DIODES INC. ZXMP6A18DN8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated ZXMP6A18DN8.pdf MOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA DIODES INC. ZXMP6A18DN8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA 605zxmp6a18dn8.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+63.67 грн
1000+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA 605zxmp6a18dn8.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+63.67 грн
1000+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA 605zxmp6a18dn8.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+65.08 грн
1000+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA 605zxmp6a18dn8.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+65.10 грн
1000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA 605zxmp6a18dn8.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+127.15 грн
100+87.89 грн
250+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA 605zxmp6a18dn8.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+127.15 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.58 грн
10+88.97 грн
100+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.