Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMP6A18DN8TA
ZXMP6A18DN8TA

ZXMP6A18DN8TA DIODES INCORPORATED

ZXMP6A18DN8.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.8A; 1.25W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+106.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP6A18DN8TA DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.

Інші пропозиції ZXMP6A18DN8TA за ціною від 60.03 грн до 184.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated ZXMP6A18DN8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.29 грн
10+104.44 грн
25+88.73 грн
50+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated ZXMP6A18DN8.pdf MOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 765 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+184.70 грн
10+88.50 грн
500+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA DIODES INC. DIOD-S-A0000203859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8TA DIODES INC. DIOD-S-A0000203859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8.pdf
ZXMP6A18DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.29 грн
10+104.44 грн
25+88.73 грн
50+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18DN8.pdf
ZXMP6A18DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 765 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.70 грн
10+88.50 грн
500+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA DIOD-S-A0000203859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP6A18DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TA DIOD-S-A0000203859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP6A18DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.