ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 52.50 грн |
| 1000+ | 45.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXMP6A18DN8TA за ціною від 49.58 грн до 168.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMP6A18DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.8W |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXMP6A18DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS |
на замовлення 771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXMP6A18DN8TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|