Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMP7A17GQTA
ZXMP7A17GQTA

ZXMP7A17GQTA Diodes Incorporated

ZXMP7A17GQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP7A17GQTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMP7A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 70 V, 2.6 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 70V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMP7A17GQTA за ціною від 20.68 грн до 110.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMP7A17GQTA ZXMP7A17GQTA Diodes Incorporated ZXMP7A17GQ.pdf MOSFETs 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm
на замовлення 28654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.41 грн
10+53.70 грн
100+35.37 грн
500+28.20 грн
1000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTA ZXMP7A17GQTA Diodes Incorporated ZXMP7A17GQ.pdf Description: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.43 грн
10+63.54 грн
100+42.15 грн
500+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTA ZXMP7A17GQTA DIODES INC. ZXMP7A17GQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP7A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 70 V, 2.6 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.76 грн
12+70.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTA ZXMP7A17GQTA DIODES INC. ZXMP7A17GQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP7A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 70 V, 2.6 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTA ZXMP7A17GQ.pdf
ZXMP7A17GQTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm
на замовлення 28654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.41 грн
10+53.70 грн
100+35.37 грн
500+28.20 грн
1000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTA ZXMP7A17GQ.pdf
ZXMP7A17GQTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.43 грн
10+63.54 грн
100+42.15 грн
500+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTA ZXMP7A17GQ.pdf
ZXMP7A17GQTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP7A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 70 V, 2.6 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.76 грн
12+70.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTA ZXMP7A17GQ.pdf
ZXMP7A17GQTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP7A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 70 V, 2.6 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.