Продукція > DIODES/ZETEX > ZXMS6004DN8-13
ZXMS6004DN8-13

ZXMS6004DN8-13 DIODES/ZETEX

TZXMS6004DN8-13_Diodes_0001.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
Self Protected Enhancement Mode Intellifet MOSFET ZXMS6004DN8-13 TZXMS6004DN8-13 Diodes
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMS6004DN8-13 DIODES/ZETEX

Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: IntelliFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXMS6004DN8-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMS6004DN8-13 ZXMS6004DN8-13 Diodes Incorporated ZXMS6004DN8.pdf MOSFETs Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
на замовлення 186025 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004DN8-13 ZXMS6004DN8-13 DIODES INC. ZXMS6004DN8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: IntelliFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004DN8-13 ZXMS6004DN8-13 DIODES INC. 2814482.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: IntelliFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004DN8-13 ZXMS6004DN8.pdf
ZXMS6004DN8-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
на замовлення 186025 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004DN8-13 ZXMS6004DN8.pdf
ZXMS6004DN8-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: IntelliFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004DN8-13 2814482.pdf
ZXMS6004DN8-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: IntelliFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.