ZXMS6004DN8-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto Restart
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 350mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Current - Output (Max): 1.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.57 грн |
| 5000+ | 19.20 грн |
| 7500+ | 18.40 грн |
| 12500+ | 17.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMS6004DN8-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: IntelliFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMS6004DN8-13 за ціною від 22.54 грн до 85.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMS6004DN8-13 | Diodes Zetex |
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMS6004DN8-13 | Diodes Zetex |
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 460000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXMS6004DN8-13 | DIODES/ZETEX |
Self Protected Enhancement Mode Intellifet MOSFET ZXMS6004DN8-13 TZXMS6004DN8-13 Diodes кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMS6004DN8-13 | Diodes Zetex |
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 97500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMS6004DN8-13 | Diodes Zetex |
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 97500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMS6004DN8-13 | Diodes Zetex |
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMS6004DN8-13 | Diodes Zetex |
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMS6004DN8-13 | Diodes Incorporated |
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Features: Auto Restart Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 2 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 350mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 60V (Max) Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V Current - Output (Max): 1.3A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-SO Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage Part Status: Active |
на замовлення 20768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXMS6004DN8-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ |
на замовлення 68860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
ZXMS6004DN8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: IntelliFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ZXMS6004DN8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: IntelliFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXMS6004DN8-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.98 грн |
| ZXMS6004DN8-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.18 грн |
| ZXMS6004DN8-13 |
|
Виробник: DIODES/ZETEX
Self Protected Enhancement Mode Intellifet MOSFET ZXMS6004DN8-13 TZXMS6004DN8-13 Diodes
кількість в упаковці: 50 шт
Self Protected Enhancement Mode Intellifet MOSFET ZXMS6004DN8-13 TZXMS6004DN8-13 Diodes
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 30.75 грн |
| ZXMS6004DN8-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.17 грн |
| ZXMS6004DN8-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.37 грн |
| ZXMS6004DN8-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.26 грн |
| ZXMS6004DN8-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 44.75 грн |
| 18+ | 43.75 грн |
| 25+ | 43.38 грн |
| 100+ | 31.54 грн |
| 250+ | 29.04 грн |
| ZXMS6004DN8-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 350mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Current - Output (Max): 1.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 350mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Current - Output (Max): 1.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 20768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.05 грн |
| 10+ | 51.37 грн |
| 100+ | 33.92 грн |
| 500+ | 24.80 грн |
| 1000+ | 22.54 грн |
| ZXMS6004DN8-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
MOSFETs Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
на замовлення 68860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXMS6004DN8-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: IntelliFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: IntelliFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXMS6004DN8-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: IntelliFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: IntelliFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)