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Технічний опис ZXMS6004DN8Q-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMS6004DN8Q-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.56W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.56W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZXMS6004DN8Q-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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ZXMS6004DN8Q-13 | DIODES INC. |
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на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ZXMS6004DN8Q-13 | DIODES INC. |
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на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXMS6004DN8Q-13 |
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Виробник: DIODES INC.
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на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXMS6004DN8Q-13 |
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Виробник: DIODES INC.
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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