Продукція > DIODES ZETEX > ZXMS6004N8-13
ZXMS6004N8-13

ZXMS6004N8-13 Diodes Zetex

zxms6004n8.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Current Limit SW 1-IN 1-OUT 0V to 5.5V 1.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMS6004N8-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMS6004N8-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.65W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ZXMS6004N8-13 за ціною від 18.76 грн до 33.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMS6004N8-13 ZXMS6004N8-13 Diodes Zetex zxms6004n8.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT 0V to 5.5V 1.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004N8-13 ZXMS6004N8-13 Diodes Zetex zxms6004n8.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT 0V to 5.5V 1.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004N8-13 ZXMS6004N8-13 Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ
на замовлення 6689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004N8-13 ZXMS6004N8-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013030154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMS6004N8-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004N8-13 ZXMS6004N8-13 Diodes Zetex zxms6004n8.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT 0V to 5.5V 1.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004N8-13 ZXMS6004N8-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013030154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMS6004N8-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004N8-13 zxms6004n8.pdf
ZXMS6004N8-13
Виробник: Diodes Zetex
Current Limit SW 1-IN 1-OUT 0V to 5.5V 1.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004N8-13 zxms6004n8.pdf
ZXMS6004N8-13
Виробник: Diodes Zetex
Current Limit SW 1-IN 1-OUT 0V to 5.5V 1.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004N8-13
ZXMS6004N8-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ
на замовлення 6689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004N8-13 DIOD-S-A0013030154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMS6004N8-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS6004N8-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004N8-13 zxms6004n8.pdf
ZXMS6004N8-13
Виробник: Diodes Zetex
Current Limit SW 1-IN 1-OUT 0V to 5.5V 1.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6004N8-13 DIOD-S-A0013030154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMS6004N8-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS6004N8-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.