Продукція > DIODES ZETEX > ZXMS6005DGQ-13
ZXMS6005DGQ-13

ZXMS6005DGQ-13 Diodes Zetex

zxms6005dgq-13.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Current Limit SW 1-IN 1-OUT 0V to 5.5V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.98 грн
15000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMS6005DGQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMS6005DGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 1.69W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.

Інші пропозиції ZXMS6005DGQ-13 за ціною від 18.92 грн до 89.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMS6005DGQ-13 ZXMS6005DGQ-13 Diodes Incorporated MOSFETs Low Side IntelliFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+89.34 грн
10+54.13 грн
100+31.08 грн
500+24.40 грн
1000+20.87 грн
2500+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6005DGQ-13 ZXMS6005DGQ-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - ZXMS6005DGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6005DGQ-13 ZXMS6005DGQ-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - ZXMS6005DGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6005DGQ-13
ZXMS6005DGQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Low Side IntelliFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.34 грн
10+54.13 грн
100+31.08 грн
500+24.40 грн
1000+20.87 грн
2500+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6005DGQ-13
ZXMS6005DGQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS6005DGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS6005DGQ-13
ZXMS6005DGQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS6005DGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.