на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXT10N50DE6TA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 165MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXT10N50DE6TA за ціною від 12.17 грн до 71.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXT10N50DE6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-23-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXT10N50DE6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXT10N50DE6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXT10N50DE6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXT10N50DE6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXT10N50DE6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W |
на замовлення 36432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXT10N50DE6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 50V NPN SuperSOT4 |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXT10N50DE6TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
ZXT10N50DE6TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXT10N50DE6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |