ZXT11N20DFTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXT11N20DFTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXT11N20DFTA за ціною від 17.05 грн до 52.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXT11N20DFTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ZXT11N20DFTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN SuperSOT4 |
на замовлення 3038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZXT11N20DFTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZXT11N20DFTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXT11N20DFTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 20V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| ZXT11N20DFTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.87 грн |
| 10+ | 36.91 грн |
| 100+ | 25.55 грн |
| 500+ | 20.03 грн |
| 1000+ | 17.05 грн |
| ZXT11N20DFTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN SuperSOT4
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN SuperSOT4
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXT11N20DFTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXT11N20DFTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXT11N20DFTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 20V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 20V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 52.45 грн |
| 17+ | 44.60 грн |



