ZXT12N50DXTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.04W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 132MHz
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 43.84 грн |
| 2000+ | 39.74 грн |
| 5000+ | 37.85 грн |
| 10000+ | 33.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXT12N50DXTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXT12N50DXTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 3 A, 1.04 W, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 132MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: MSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe SuperSOT4, Verlustleistung, NPN: 1.04W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ZXT12N50DXTA за ціною від 36.56 грн до 123.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXT12N50DXTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT12N50DXTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 3 A, 1.04 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 132MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: MSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SuperSOT4 Verlustleistung, NPN: 1.04W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXT12N50DXTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.04W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 132MHz Supplier Device Package: 8-MSOP Part Status: Active |
на замовлення 64516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXT12N50DXTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXT12N50DXTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT12N50DXTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 3 A, 1.04 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 132MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: MSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SuperSOT4 Verlustleistung, NPN: 1.04W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXT12N50DXTA |
|
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
ZXT12N50DXTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1250mW 8-Pin MSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| ZXT12N50DXTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 3A; 0.87W; MSOP8 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 0.87W Case: MSOP8 Pulsed collector current: 10A Current gain: 50...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 132MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| ZXT12N50DXTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 3A; 0.87W; MSOP8 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 0.87W Case: MSOP8 Pulsed collector current: 10A Current gain: 50...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 132MHz |
товар відсутній |