ZXT13P12DE6 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 55MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 55MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 34.23 грн |
500+ | 26.57 грн |
1000+ | 20.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXT13P12DE6 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Übergangsfrequenz: 55MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXT13P12DE6 за ціною від 20.73 грн до 65.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXT13P12DE6 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 55MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
ZXT13P12DE6 | Виробник : ZETEX |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
ZXT13P12DE6 | Виробник : ZETEX | 06+; |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |