Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXT953KTC Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXT953KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXT953KTC за ціною від 47.58 грн до 163.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXT953KTC | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 5A TO-252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 4.2 W |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ZXT953KTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT953KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZXT953KTC | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 100V |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZXT953KTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT953KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXT953KTC | Zetex |
2006 |
на замовлення 1805 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXT953KTC |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 4.2 W
Description: TRANS PNP 100V 5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 4.2 W
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 163.91 грн |
| 10+ | 101.11 грн |
| 100+ | 68.89 грн |
| 500+ | 51.71 грн |
| 1000+ | 47.58 грн |
| ZXT953KTC |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT953KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXT953KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXT953KTC |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP 100V
Bipolar Transistors - BJT PNP 100V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXT953KTC |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT953KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: DIODES INC. - ZXT953KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






