ZXTC2062E6TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz
Supplier Device Package: SOT-26
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.78 грн |
| 6000+ | 18.50 грн |
| 9000+ | 17.72 грн |
| 15000+ | 15.82 грн |
| 21000+ | 15.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTC2062E6TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 1.1W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A, Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.1W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTC2062E6TA за ціною від 17.10 грн до 65.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTC2062E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTC2062E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 7666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTC2062E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTC2062E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 7666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTC2062E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZXTC2062E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZXTC2062E6TA | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transisto |
на замовлення 5120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTC2062E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz Supplier Device Package: SOT-26 |
на замовлення 146724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTC2062E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTC2062E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| ZXTC2062E6TA | Виробник : Diodes |
Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transistor SOT-26-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |