ZXTC6719MCTA Diodes Zetex
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTC6719MCTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTC6719MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 1.7W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A, Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN3020B, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.7W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZXTC6719MCTA за ціною від 19.39 грн до 88.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTC6719MCTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTC6719MCTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTC6719MCTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTC6719MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTC6719MCTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN 40V PNP Low SAT Trans |
на замовлення 14625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTC6719MCTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTC6719MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTC6719MCTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 50V/40V DFN3020B-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 165MHz, 190MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 |
на замовлення 3737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTC6719MCTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTC6719MCTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTC6719MCTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 50V/40V DFN3020B-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 165MHz, 190MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 |
товару немає в наявності |