Технічний опис ZXTC6720MCTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 W, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 1.7W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A, Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN3020B, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.7W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXTC6720MCTA за ціною від 23.19 грн до 87.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXTC6720MCTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 2.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, 70V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V Frequency - Transition: 160MHz, 180MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 |
на замовлення 2813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ZXTC6720MCTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 WtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZXTC6720MCTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Dual 80V NPN 70V PNP VCEO 80V Rsat 68mOh |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZXTC6720MCTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 WtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXTC6720MCTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, 70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
Frequency - Transition: 160MHz, 180MHz
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Description: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, 70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
Frequency - Transition: 160MHz, 180MHz
Supplier Device Package: DFN3020B-8
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.75 грн |
| 10+ | 53.00 грн |
| 100+ | 34.96 грн |
| 500+ | 25.53 грн |
| 1000+ | 23.19 грн |
| ZXTC6720MCTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 1.7W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A
Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.7W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 1.7W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A
Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.7W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTC6720MCTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Dual 80V NPN 70V PNP VCEO 80V Rsat 68mOh
Bipolar Transistors - BJT Dual 80V NPN 70V PNP VCEO 80V Rsat 68mOh
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXTC6720MCTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 1.7W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A
Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.7W
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 1.7W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A
Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.7W
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






